[16a-Z10-1~10] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

△ [16a-Z10-4] アニール処理によるCe:YIG上a-Si:H導波路の吸収損失低減

〇村井 俊哉¹、庄司 雄哉¹、西山 伸彦¹、水本 哲弥¹ (1.東工大)

キーワード：光集積回路、磁気光学材料、光導波路

磁気光学材料Ce:YIGは、光アイソレータなどの非相反光素子実現に不可欠である。しかし、吸収損失が大きくデバイス特性改善のために、この低減が必要である。今回、Ce:YIG上に形成したa-Si導波路を用いて伝搬損失を測定した。その結果Ce:YIGを800°Cでアニール処理することで吸収損失が1/3程度まで減少することがわかった。本発表では、結果の詳細と、その導波路を用いて作製した高Qリング共振器の特性などについて報告する。