[16a-Z16-1~11] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [16a-Z16-1] First-principles calculation study on the atomic and electronic structures at the (Al₂O₃)_1-x(SiO₂)_x/GaN interfaces.

〇Kenta Chokawa¹, Kenji Shiraishi^2,1, Atsushi Oshiyama¹ (1.IMaSS, Nagoya Univ., 2.Eng. Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, ab-initio calculation, interface

(Al₂O₃)_1-x(SiO₂)_x:AlSiOはGaN MOSデバイスの有力な絶縁膜材料候補である。本研究では第一原理計算を用いて初めてAlSiO/GaN界面構造とその電子状態を明らかにした。また、GaN上に厚みのあるアモルファス絶縁膜層を形成した計算もこれまで報告はなく新しい知見となる。界面には未結合手などの欠陥は存在せず、エネルギー的に安定な結合が形成された。これらの構造はGaNのバンドギャップ内に準位を形成せず、MOSデバイスにおいて低い界面準位密度が期待できる。