[16p-Z12-1~17] 8.8 プラズマエレクトロニクス分科会30周年記念特別セッション

[16p-Z12-13] マグネトロンスパッタリング法による(ZnO)_x(InN)_1-x膜のエピタキシャル成長:基板の面極性の影響

〇成重 椋太¹、金島 健太郎¹、浦川 聖一¹、山下 大輔¹、鎌滝 晋礼¹、奥村 賢直¹、古閑 一憲¹、白谷 正治¹、板垣 奈穂¹ (1.九大シス情)

キーワード：ZION、酸窒化物半導体、ヘテロエピタキシー

我々は，ZnOとInNの疑2元混晶である(ZnO)_x(InN)_1-x（以下ZION）を開発している. ZIONは, 1.0–3.4 eVにわたり制御可能なバンドギャップ, 30–60 meVの高い励起子束縛エネルギーを備えており, エキシトントランジスタなどの励起子デバイスに有望な材料である．本研究では，O極性ならびにZn極性ZnO基板上にZION膜を作製し, 極性が結晶成長に与える影響について報告する．