[16p-Z14-1~5] CS.6 6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[16p-Z14-1] NEA活性化方法におけるInGaNフォトカソードの電子放出特性の違い

〇(D)鹿島 将央¹、佐藤 大樹²、小泉 淳²、飯島 北斗²、西谷 智博^2,3、本田 善央³、天野 浩³、目黒 多加志¹ (1.東理大、2.（株）Photo electron Soul、3.名大IMaSS)

キーワード：負の電子親和力表面、フォトカソード、InGaN

p-InGaN(0001)に対するNEA表面の活性化方法としてCsのみの供給、CsとO₂の交互供給、CsとO₂の同時供給をそれぞれ行い、得られた量子効率の最大値は0.27%、0.33%、0.83%であった。この結果から同時供給という非常にシンプルな方法で高い量子効率が得られた。更にNEA活性化過程における量子効率に2段階に増加していくという、これまでに報告されたことのない変化を示した。この2段階のモードの存在および寿命特性を現在調べている。