[16p-Z14-1~5] CS.6 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[16p-Z14-2] Dependence of the amount of O₂ supply of quantum efficiency and Cs adsorption states during NEA activation

〇Yuhi Sada¹, Masaru Jono¹, Takashi Meguro¹ (1.TUS)

Keywords:semiconductor, surface, vacuum

負の電子親和力(Negative Electron Affinity; NEA)表面を形成したGaAsは、極短パルス性や高スピン偏極等の多彩な電子ビームの生成が可能な点で革新的光電子源として注目されてきた。通常、NEA表面はCsとO₂を交互に供給するNEA活性化を行うことで形成するが、その表面構造及び形成過程の詳細については解明できていない。本研究では、NEA表面形成過程におけるO₂の役割に着目し、NEA活性化中の量子効率とCs脱離スペクトルのO₂供給量依存性について調べた。