2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年3月16日(火) 13:00 〜 17:15 Z27 (Z27)

岩谷 素顕(名城大)、片山 竜二(阪大)、谷川 智之(阪大)

15:15 〜 15:30

[16p-Z27-9] 230 nm深紫外光発生に向けた2層極性反転AlN導波路の設計と作製

本田 啓人1、永田 拓実1、市川 修平1,2、藤原 康文1、正直 花奈子3、三宅 秀人3,4、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.三重大院工、4.三重大院地域イノベ)

キーワード:深紫外

新型コロナウィルスの流行にともない、深紫外光を用いた非接触な消毒・殺菌に注目が集まっている。我々は強い光学非線形性を有するAlNを用い、表面活性化接合技術により横型擬似位相整合(QPM)2層極性反転導波路を作製し、青色の第二高調波発生(SHG)を実証した。本発表では波長230 nmの横型QPM SHGデバイスを設計するとともに、スパッタ法を用いた極性制御技術により2層極性反転AlN薄膜を作製した。