[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-8] マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（3）

〇長澤 陽祐¹、小島 一信²、平野 光¹、迫 秀樹³、橋本 愛³、杉江 隆一³、一本松 正道¹、本田 善央⁴、天野 浩⁴、赤﨑 勇⁵、秩父 重英² (1.創光科学、2.東北大IMRAM、3.東ﾚﾘｻｰﾁｾﾝﾀ、4.名大IMaSS、5.名城大理工)

キーワード：AlGaN、深紫外、発光ダイオード

c(0001)面サファイア基板(m[1-100]軸方向1.0°-miscut)を用いて，マクロステップを有するAlN上に成長したn-Al_aGa_1-aN (a~0.6, 0.7)上に形成された凹凸構造のあるAl_bGa_1-bN量子井戸(成長レシピからの推定値b~0.35, 0.45)からの発光スペクトルの分析を行った．QWには各々Al_1/3Ga_2/3Nと Al_1/2Ga_1/2N が生成していると解釈された．