[17a-Z15-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

[17a-Z15-1] 軟X線照射による水素化DLC膜中の自由体積の変化

〇神田 一浩¹、田村 辰弥¹、赤坂 大樹²、堀 史説³、薮内 敦⁴、木野村 淳⁴ (1.兵県大高度研、2.東工大工、3.大阪府大工、4.京大複合研)

キーワード：アモルファス炭素膜、陽電子消滅法、軟X線照射

軟X線照射によって水素化DLC膜中の自由体積がどのように変化するか、低速陽電子線を用いて陽電子寿命の測定を行った。軟X線照射量を増加させると陽電子寿命が増加し、膜中の自由体積が増加していることを示した。一方、S パラメータは減少し、空隙の自由電子密度が増加していることを示している。これは軟X線照射による水素の脱離により、空隙周辺の元素組成が変化していることに由来すると考えられる。