[17a-Z17-1~11] 9.4 熱電変換

[17a-Z17-6] 歪・組成制御エピタキシャルSiGe薄膜の熱電特性

〇谷口 達彦¹、石部 貴史¹、我妻 勇哉²、澤野 憲太郎²、山下 雄一郎³、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.東京都市大学、3.産総研)

キーワード：熱電、エピタキシャル薄膜、シリコンゲルマニウム