[17a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17a-Z27-3] HVPE法によって作製されたp型GaNの電気および構造特性評価

〇(D)大西 一生¹、天野 裕己¹、藤元 直樹²、新田 州吾²、渡邉 浩崇²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大ARC、4.名大VBL)

キーワード：ハライド気相成長、p型GaN

従来GaN自立基板作製に用いられるHVPE法は, 縦型GaNパワーデバイス作製手法としても魅力的である。前回、我々はHVPE法によるp型GaNの作製を報告した。本研究では、8.0E18 - 8.3E19 cm^-3のMg濃度を有するp型GaNの電気特性および構造特性を、Hall効果測定およびHAADF-STEMを用いてそれぞれ評価したので報告する。