[18a-Z05-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18a-Z05-4] HClを用いたSiC CVD成長におけるステップ端の水素被覆の理論研究

〇木村 友哉¹、長川 健太²、押山 淳²、白石 賢二^2,1 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：SiC、CVD、第一原理計算