[18a-Z15-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[18a-Z15-2] Evaluation of acceptor activation rate of Mg-ion-implanted GaN by photoluminescence

〇Taisei Miyazaki¹, Maito Shiraish¹, Ryusui Wada¹, Kenta Watanabe², Takashi Okawa², Masato Omor¹ (1.Oita Univ., 2.MIRISE Technologies)

Keywords:GaN, Ion-implanted, PL

パワーデバイスを高性能かつ低コストに作製するにはイオン注入技術が必要不可欠だが，GaNではまだ確立されておらず，その開発が急務となっている。特にMgイオン注入によるp型GaNではアクセプタ濃度の定量が極めて難しいという問題がある。そこで本研究では，フォトルミネッセンス（PL）法を用いてGaN中のMgアクセプタ濃度を定量評価する手法を開発し，Mgイオン注入GaNの評価を行ったので報告する。