[18p-P06-1~30] 2 放射線(ポスター)

[18p-P06-4] 界面直接レーザードーピングにより作製したCdTeダイオードに対するアニール効果の検討

〇大野 周¹、西澤 潤一²、都木 克之²、Kateryna Zelenska²、Volodymyr Gnatyuk^2,3、青木 徹² (1.静大情、2.静大電研、3.ウクライナ国立科学アカデミー半導体物理研究所)

キーワード：CdTe、レーザードーピング、半導体検出器

私たちはレーザードーピングによるCdTeのpnダイオードの開発を行っている．従来アニール処理は向いていないと考えられてきたCdTeだが，ドーパントの活性化率向上のための手段としてアニール処理を利用出来る可能性がある．そこで本研究ではレーザードーピングを行った後にドーピング濃度及び活性化率を測定，算出した．また温度を変えてアニール処理を行い評価した．