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[18p-Z05-3] 光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いたSiC-MOSFET動作時の過渡的内部温度変化の可視化
キーワード:光学干渉非接触温度測定法、SiC
デバイス作製において熱設計は必要不可欠であり, 様々なモデルによって熱伝導の解析が行われているが, デバイス内部の直接的な発熱過程の測定は行えていない. 本研究では, 我々が開発している光学干渉非接触温度測定技術(Optical-Interference Contactless Thermometer : OICT) を応用してSiC-MOSFET動作時の内部の熱拡散過程の可視化を試みた.