15:30 〜 15:45
△ [18p-Z05-8] 高温アニールとγ線照射による4H-SiC/SiO2窒化界面構造の変化の違い
キーワード:界面窒化、γ線、XPS
本研究では、4H-SiC/SiO2窒化界面構造の安定性に注目した。
Si面、C面およびa面上に形成された窒化界面構造の、高温アニールによる変化とγ線照射による変化について、その挙動の違いを評価した。
Si面、C面およびa面上に形成された窒化界面構造の、高温アニールによる変化とγ線照射による変化について、その挙動の違いを評価した。