[18p-Z24-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-Z24-3] スパッタエピタキシ法を用いた格子整合SiGe薄膜形成におけるスパッタガス圧の効果

〇池野 憲人¹、青柳 耀介²、広瀬 信光³、笠松 章史³、松井 敏明³、須田 良幸²、塚本 貴広¹ (1.電気通信大学、2.東京農工大学、3.情報通信研究機構)

キーワード：スパッタエピタキシ、SiGe