[18p-Z24-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[18p-Z24-5] プラズマCVDによるアモルファスシリコン堆積時の瞬間加熱に関する研究

〇(M1)野島 大志¹、佐藤 拓磨¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先進理工)

キーワード：半導体、アモルファスシリコン、プラズマCVD

近年, フラットパネルディスプレイの画素駆動電流が増大し, 高結晶なSi TFTが求められている. 結晶Si膜の形成法として, a-Si堆積後の急速熱処理の他, 絶縁体上に結晶性Siを直接堆積する方法が研究されている. しかし, Si/SiO₂界面におけるアモルファスインキュベーション層の抑制が困難であるという問題がある. そこで本研究では, プラズマCVD法によるa-Si堆積時にパルスジュール加熱を行い, a-Si層の成長を制御するプロセス開発を進めている.