[19a-Z33-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [19a-Z33-9] GaCl-O₂系HVPE法によるβ-Ga₂O₃成長における過剰Cl₂供給効果

〇森 あかね¹、税本 雄也¹、後藤 健¹、熊谷 義直¹ (1.東京農工大工)

キーワード：HVPE、Ga2O3、GaCl3

GaCl-O₂系HVPE法によるGa₂O₃成長では、成長時の自由エネルギー変化が大きいため、気相中で形成されるGa₂O₃粉体が成長層表面に落下し成長を阻害する問題がある。我々の研究グループでは、Ga源にGaCl₃を用いれば自由エネルギー変化が小さな成長となることを熱力学解析により報告している。今回、GaCl-O₂系に過剰Cl₂を加えGaClの一部をGaCl₃化し、粉体形成の抑制を試みたので報告する。