[19a-Z33-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [19a-Z33-10] Thin-film growth of N-doped Ga₂(O_1−xS_x)₃ by using pulsed-laser deposition

〇Takumi Saito¹, Yuta Ihara¹, Takuto Soma¹, Motohisa Kado², Akira Ohtomo^1,3 (1.Tokyo Tech., 2.Toyota Motor Corp., 3.MCES)

Keywords:Gallium oxide, PLD, Sulfur substitution

有望なパワーデバイス材料であるGa₂O₃について，これまでに我々は一酸化窒素を用いたPLDにより酸素サイトを窒素で置換した高結晶性薄膜の成長に成功している．本研究では窒素をアクセプターとして活性化させるために酸素サイトを硫黄でも置換した薄膜の成長を試みた．GaS固体原料とNOガスまたはNOプラズマを用いたPLDによって得られた薄膜について結晶性と光学特性の評価および組成分析を行った結果を報告する．