17:00 〜 17:50
[19p-P06-7] 高速スイッチング向け600V縦型GaN-DMOSFETの低オン抵抗化検討
キーワード:GaN、パワーデバイス、MOSFET
高速かつ大容量動作に期待される縦型GaN-DMOSFETの低オン抵抗化検討を行った。ドリフト層とJFET領域のドナー濃度条件を検討した結果、600V帯においてRonA 1 mΩcm2以下を実現可能と見通せることが分かった。
一般セッション(ポスター講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
2021年3月19日(金) 17:00 〜 17:50 P06 (ポスター)
17:00 〜 17:50
キーワード:GaN、パワーデバイス、MOSFET