[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19p-Z13-12] エピタキシャルPbTiO3 自立薄膜共振子のGHz 帯圧電特性

〇(B)渡海 智^1,2、國信 総太^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST)

キーワード：エピタキシャルPTO、ヒステリシス損失、自立薄膜共振子

我々のグループはPZT とPbTiO3(PTO)を交互にエピタキシャル成長させ、抗電界を利用した周波数スイッチングを報告している。しかしスイッチャブルフィルタを実現するには薄膜自立構造が必要となる。PZT エピ膜の下地として主に使われるSrTiO3 やSrRuO3 基板はPZT と化学的性質が非常に近いため、自立薄膜共振子の作製は困難である。そこで本研究ではMgO 基板上にエピタキシャルPTO 薄膜を成長させ、MgO を熱リン酸水溶液によってエッチングすることで、エピタキシャルPTO 薄膜自立薄膜を作製した。さらに共振子を作製し、kt2 を測定した。また、自立薄膜共振子にDC 電界を印加しながら、kt2 の測定を行うことで、ヒステリシスを描いた。