[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-Z25-5] 選択再成長オーミックコンタクトを用いたAlGaNチャネルHFETの作製と特性評価

〇井上 暁喜¹、原田 紘希¹、山中 瑞樹¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：Ⅲ族窒化物、AlGaNチャネルHFET、高絶縁破壊電圧

四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したコンタクト層を採用したAl_0.19Ga_0.81NチャネルMIS-HFETを作製した。オーミックコンタクト層は局所的なリセスエッチングと有機金属化学気相成長法(MOCVD)による高濃度Siドープn⁺-GaN層の再成長プロセスからなる選択再成長(SAG)技術により形成した。作製したMIS-HFETは、ON状態のデバイス性能が大幅に向上し、優れたピンチオフ特性を示した。さらに、ゲート-ドレイン間距離が10 µmで1220 Vと高いOFF状態での絶縁破壊電圧を示した。