[19p-Z25-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-Z25-4] Fabrication of recessed-gate AlGaInN/AlGaN HFETs utilizing a photo-electrochemical (PEC) etching

〇Kosaku Ito¹, Komatsu Yuto¹, Toguchi Masachika¹, Inoue Akiyoshi², Miyoshi Makoto², Sato Taketomo¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:HFET, photo-electrochemical etching, recessed gate

我々は、AlGaN/GaN-HFETのゲートリセス加工に光電気化学(PEC: Photo-electrochemical)エッチングを適用し、閾値電圧制御やノーマリオフ化に有望であることを示した。さらに、より高耐圧化が期待されるAlGaNチャネルHFETのAlGaInNバリア層にも同様の手法が適用可能であることを明らかにした。今回は、PECエッチング法を用いてリセスゲートAlGaInN/AlGaN HFETを作製し、その電気的特性を評価したので報告する。