16:00 〜 18:00 [20p-P04-7] Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のC-V特性に対するGaN表面近傍欠陥準位の影響 (2) 〇(M2)玉村 祐也1、忽滑谷 崇秀1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)