14:30 〜 14:45 △ [23p-B204-5] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される電子トラップのSi濃度依存性 〇遠藤 彗1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)