14:15 〜 14:30 [22p-B204-4] GaNへの浅いMg、N連続注入によるp型高濃度領域の形成検討 〇田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、埋橋 淳2、大久保 忠勝2、Jun Chen2、関口 隆史2 (1.富士電機、2.NIMS)