15:45 〜 16:00 [22p-A307-9] 強誘電性 HfNx薄膜の形成と MFSFET の動作特性に関する検討 〇井出 明徳1、田沼 将一1、井原 爽生1、大見 俊一郎1 (1.東工大院工)