10:45 〜 11:00 [23a-B204-7] 高自発分極AlScN膜の導入によるGaN HEMTのしきい値変化 〇野中 隆聖1、星井 拓也1、若林 整1、筒井 一生2、角嶋 邦之1 (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創生研究科)