[23a-B204-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[23a-B204-7] Threshold voltage shift of GaN HEMT with high spontaneous polarized AlScN films

〇Ryusei Nonaka¹, Takuya Hosi¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Kazuo Tsutsui², Kuniyuki Kakushima¹ (1.Tokyo Tech School of Eng., 2.Tokyo Tech IIR)

Keywords:AlScN, threshold voltage, HEMT

GaN-HEMTはAlGaN/GaNヘテロ構造の自発分極の違いにより高移動度を有する2次元電子ガス(2DEG)を誘起することができる。そのため、負のしきい値を有するデバイスとなり、リセスを形成するなどしてしきい値の制御を行っている。最近、AlScN膜で100mC/cm²高い自発分極を示すことがわかり、GaN-HEMTのしきい値の大きなシフトに利用できる可能性が示唆されている。本研究ではリセスを形成したGaN-HEMTに対して高自発分極膜を形成して、しきい値に与える影響を調査したので報告する。