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[20p-B101-1~12] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

2022年9月20日(火) 13:45 〜 17:30 B101 (B101)

飯浜賢志(東北大)、磯上慎二(物材機構)、宮﨑照宣(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:30

▲ [20p-B101-1] [Fellow International 2022 Special Lecture] Chiral spin textures on the racetrack

〇Stuart Parkin¹ (1.Max Planck Inst. of Microstructure Physics)

14:30 〜 14:45

▲ [20p-B101-2] Evaluation of spin-transfer-torque efficiency of FeCr with negative spin polarization using magnetization reversal against a magnetic field

〇Hirofumi Suto¹、Nakatani Tomoya¹、Asam Nagarjuna¹、Iwasaki Hitoshi¹、Sakuraba Yuya¹ (1.NIMS)

14:45 〜 15:00

[20p-B101-3] Prospect of pitch scaling for highly dense STT-MRAM with ultra-small magnetic tunnel junctions

〇篠田峻伸^1,2、五十嵐純太^1,2,3、陣内佛霖⁴、深見俊輔^1,2,4,5,6,7、大野英男^1,4,5,6 (1.東北大学電気通信研究所、2.東北大工、3.ロレーヌ大学 Jean Lamour 研究所、4.東北大学材料科学高等研究所、5.東北大学先端スピントロニクス研究開発センター、6.東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター、7.稲盛科学研究機構)

15:00 〜 15:15

▼ [20p-B101-4] Stochastic magnetic tunnel junctions with double free layers

〇Rikuto Ota^1,2、Keito Kobayashi^1,2、Keisuke Hayakawa¹、Shun Kanai^1,3,4,5、Kerem Camsari⁶、Hideo Ohno^1,5,7,8、Shunsuke Fukami^1,2,5,7,8,9 (1.LNS, RIEC, Tohoku Univ.、2.Grad. School Eng., Tohoku Univ.、3.PRESTO, JST、4.DEFS, Tohoku Univ.、5.CSIS, Tohoku Univ.、6.Dept. Elec. and Comp. Eng., UCSB.、7.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、8.CIES, Tohoku Univ.、9.Inamori Research Institute for Science)

15:15 〜 15:30

▲ [20p-B101-5] Reduction of Write Error Rate in Voltage-Induced Heavily-Damped Precessional Switching by Elliptic Cylinder Shaped Recording Layer

〇Rie Matsumoto¹、Shinji Yuasa¹、Hiroshi Imamura¹ (1.AIST RCECT)

15:45 〜 16:00

△ [20p-B101-6] フェリ磁性スピンシフトレジスタのエラーレート評価

〇石橋未央¹、薬師寺啓²、河口真志¹、塚本新³、中辻知^1,4,5,6、林将光^1,5 (1.東大理、2.産総研、3.日大、4.JST-CREST、5.東大トランス量子科学、6.ジョンズホプキンス大)

16:00 〜 16:15

▲ [20p-B101-7] 3D racetrack memory devices formed from freestanding magnetic heterostructures

〇(D)Ke Gu¹、Yicheng Guan¹、Binoy Krishna Hazra¹、Hakan Deniz¹、Andrea Migliorini¹、Wenjie Zhang¹、Stuart Parkin¹ (1.Max Planck Inst.)

16:15 〜 16:30

▼ [20p-B101-8] Spin-orbit Torque Switching in Nanocomposite CoPtCrB

〇(D)Vihanga De Zoysa K¹、Samik DuttaGupta^1,2,3、Butsurin Jinnai⁵、Hideo Ohno^1,2,3,4,5、Shunsuke Fukami^1,2,3,4,5,6 (1.Lab. for Nanoelectronics and Spintronics, RIEC, Tohoku Univ.、2.CSIS (Core Research Cluster), Tohoku Univ.、3.CSRN, Tohoku Univ.、4.CIES, Tohoku Univ.、5.WPI-AIMR, Tohoku Univ.、6.Inamori Research Institute for Science.)

16:30 〜 16:45

▼ [20p-B101-9] Fabrication and evaluation of BiSb topological insulator / perpendicular magnetization CoFeB multilayer film for SOT-MRAM application

〇(D)Ruixian Zhang¹、Shirokura Takanori¹、Tuo Fan¹、Pham Nam Hai^1,2 (1.Tokyo Tech.、2.Univ. Tokyo)

16:45 〜 17:00

△ [20p-B101-10] 帰還構造におけるスピン波の空間分布

〇岩場雅司¹、林龍之介¹、根津昇輝¹、関口康爾¹ (1.横浜国大院)

17:00 〜 17:15

[20p-B101-11] 面内磁気異方性をもつナノ磁性体におけるバリスティック磁化反転領域の物質パラメータ依存性に関する理論解析

〇山路俊樹¹、今村裕志¹ (1.産総研)

17:15 〜 17:30

▲ [20p-B101-12] Magnetic recording read sensors using anomalous Hall effect

〇Tomoya Nakatani¹、Prabhanjan Kulkarni¹、Hitoshi Iwasaki¹、Hirofumi Suto¹、Yuya Sakuraba¹ (1.NIMS)

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