[20a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-C200-8] 【注目講演】HVPE法によるScAlMgO₄基板上の高品質GaN基板作成（Ⅲ） MBEによりGaNを直接成長したテンプレート

只友 一行^1,2、井本 良¹、岡田 成仁²、星生 伸一³、出浦 桃子⁴、藤井 高志⁴、荒木 努⁴、石地 耕太朗⁵、白石 裕児⁶、〇福田 承生⁶ (1.CNV技研、2.山口大院創成、3.オータスジャパン、4.立命館大、5.九州シンクロ、6.福田結晶研)

キーワード：ScAlMgO4、MBE、HVPE

低温バッファ層フリーでMBE法にてSAM基板上に直接成長したGaNテンプレートを使い、SAM基板上のGaN直接成長からSAM基板の再利用までのプロセスの検討を行った。