[20a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20a-C200-9] ミスト供給酸化を用いた電流狭窄型青色LED

〇渡邊 琉加¹、松本 浩輝¹、長澤 剛¹、小林 憲汰¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大学)

キーワード：マイクロLED、電流狭窄構造、ミスト供給酸化

GaN系面発光レーザーでは、GaAs系のような横方向酸化による電流狭窄構造は実現していない。我々はミスト供給法を用いたAlInNの表面酸化により良好な絶縁性が得られることを報告した。この表面酸化層の電流狭窄構造への適用が考えられる。今回、青色LEDウエハの表面をミスト供給法で選択酸化することで、GaN系面発光レーザーに向けた電流狭窄構造を形成した。従来のマイクロLEDと同等のIVL特性を確保し、電流狭窄構造を形成することができた。