[20a-C306-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-C306-2] 高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成

〇元木 秀^1,2、佐藤 真一郎²、佐伯 誠一²、村田 晃一³、雄太 増山²、山﨑 雄一²、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼大院工、2.量研、3.電中研)

キーワード：シリコン空孔、電子スピン共鳴法、光検出磁気共鳴法