09:15 〜 09:30 [20a-C306-2] 高エネルギー電子線照射による4H-SiC中シリコン空孔の高濃度形成 〇元木 秀1,2、佐藤 真一郎2、佐伯 誠一2、村田 晃一3、雄太 増山2、山﨑 雄一2、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼大院工、2.量研、3.電中研)