[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20p-B103-10] (Al_1-x-yGa_xSc_y)N薄膜の結晶構造および強誘電性

〇(M2)大田 怜佳¹、安岡 慎之介¹、岡本 一輝¹、上岡 義弘²、楠瀬 好郎²、召田 雅実²、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.東ソー株式会社)

キーワード：強誘電体薄膜、AlScN、窒化物

(Al,Sc)Nは、強誘電性が実証されて以降、従来の強誘電体と比較して非常に大きな残留分極値を持つことから注目されている。しかし、(Al,Sc)Nの抗電界は他強誘電体と比べて高く、駆動電圧の低減の観点からその低下が求められている。そこで我々は、(Ga,Sc)Nが限定的な組成範囲であるものの強誘電性を示し、(Al,Sc)Nと比べSc固溶量が大きく抗電界が低いことに着目した。本研究では(Al,Ga,Sc)Nへの組成拡張を行い、結晶構造および強誘電性を評価したので報告する。