[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20p-B103-19] (100)AgNbO₃エピタキシャル薄膜/(100)STO基板のGHz帯超音波励振特性

〇浴田 航平^1,2、大森 拳^1,2、工藤 慎也^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)

キーワード：AgNbO₃、エピタキシャル成長、超音波

AgNbO₃は、ペロブスカイト構造の強誘電体であり、大きな圧電応答が報告されている。しかし、超音波領域での特性、特に市場の大きなGHz帯における圧電特性は報告例がない。本研究では、AgNbO₃エピタキシャル薄膜のGHz帯の超音波励振特性について報告する。