[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-3] Mist CVD法による(Ga_1-xIn_x)₂O₃混晶成長の組成制御に向けた検討

〇(M1)山田 魁¹、山田 梨詠¹、田口 義士¹、高橋 昴¹、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹ (1.工学院大学)

キーワード：Mist CVD法、酸化ガリウムインジウム混晶

Mist CVD法により, GIO混晶薄膜を成長させた. Ga溶液とIn溶液を濃度が0.05 mol/Lになるように調製し, 塩酸濃度が1.2 mol/LとなるようにGIO溶液を製作した. 製作したGIO溶液をIn供給比が0 mol%から100 mol%に変化させた. この結果, In供給比が高い領域では3次元的な成長となった. In供給比が20 mol%では2次元的な成長となり, α-もしくはε-のGIOが成長したと考えられるが, 詳しい結晶構造は不明である. In供給比の増加に伴い表面モフォロジーが悪化し, 最安定相であるcubic相が成長した. 従って, In供給比が高い領域では溶液中で寄生反応が起きていると示唆される.