[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-4] Mist CVD 法における原料溶液中の反応がα-In₂O₃成長に与える影響

〇山本 拓実¹、田口 義士¹、山田 梨詠¹、永井 裕己¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大)

キーワード：Mist CVD、酸化インジウム、成長メカニズム

Mist CVD法は, 大気圧下での成長が可能であるため, 簡易的な装置構成かつ低コストで成膜を行う手法であり, 酸化インジウム(In₂O₃)や酸化ガリウム(Ga₂O₃)などの酸化物半導体単結晶膜が実現されている. しかし, 溶液中の反応を含め成長メカニズムのほとんどが解明されていない. 本研究ではMist CVD法によるα-In₂O₃成長における原料溶液中の反応理解を目的として, 溶液の静置時間を変化させて実験を行った.