[20p-B204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20p-B204-10] MBEと固相エピタキシーを用いたPr₂Ir₂O₇薄膜の作製および物性評価

〇(M1)大石 舜士¹、横倉 聖也²、島田 敏宏²、長浜 太郎² (1.北大院総化、2.北大院工)

キーワード：パイロクロア酸化物、磁気抵抗効果

Pr₂Ir₂O₇(PIO)のバルク試料を作製する例は多くあるが、高品質の薄膜の作製は困難であった。薄膜の作製を困難にしているのは、高温でIrが揮発してしまうことにある。そこで、Irの揮発を防ぐためにパルスレーザー蒸着法（PLD）を用いてアモルファスの薄膜を作製し、その後大気圧アニールをし、目的の薄膜を得る先行研究がいくつか報告されている。本研究では反応性MBEと固相エピタキシーを用いて、PIOを製膜し、その物性を評価することを目的とした。