[20p-B204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20p-B204-11] トポタクティック酸化を利用した単一配向 VO₂ 薄膜の作製

〇西井 飛智¹、股村 雄也¹、池之上 卓己¹、三宅 正男¹、平藤 哲司¹ (1.京大院エネ科)

キーワード：VO2、トポタクティック酸化

V₂O₃からVO₂への酸化は、酸化前後の結晶が一定の方位関係を保ったまま起こり得る(トポタクティック酸化が起こり得る)ため、V₂O₃エピタキシャル成長膜を酸化させることで、高配向のVO₂膜を作製することが可能である。本研究では、A面サファイア基板上にエピタキシャル成長したV₂O₃膜をトポタクティック酸化させることで単一配向のVO₂薄膜の作製を試みた。