[20p-C206-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[20p-C206-3] 垂直ブリッジマン法による2インチFeドープβ‐Ga₂O₃ (010)基板の作製

〇上田 悠貴¹、五十嵐 拓也¹、輿 公祥¹、山腰 茂伸¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：β-Ga2O3、垂直ブリッジマン法、バルク結晶