[20p-C306-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-C306-2] 4H-SiCホモエピタキシャル成長において(0001)オフ表面上ステップに表面吸着窒素原子が取り込まれるときの緩和時間の解析

〇望月 和浩¹、三島 友義¹ (1.法政大)

キーワード：炭化珪素、ステップ、窒素