[20p-C306-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-C306-9] 膜脱離によるSiCエピ装置クリーニングの最小ClF₃ガス濃度

滝澤 唯夏¹、〇羽深 等¹、石黒 暁夫²、石井 成明²、渡部 亨²、森山 義和²、醍醐 佳明²、水島 一郎²、高橋 至直³ (1.横国大院理工、2.ニューフレアテクノロジー、3.関東電化工業)

キーワード：炭化ケイ素CVD、リアクタークリーニング

炭化珪素エピタキシャル成長装置のクリーニングプロセスの一つとして、高純度熱分解炭素被膜に堆積した粒子状SiC膜をClF₃ガス(100％, 1気圧)により素早く脱離させる方法を提案し、水素ガス中の燃焼下限濃度（１％）に希釈したClF₃ガスにおいても可能であることを示した。本報では、粒子状SiC膜を脱離させ得る最小濃度を把握すると共に、PPyC被膜に生じた軽損傷を減少させる熱処理条件を検討した。