[20p-C306-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-C306-8] One-step mirror finishing of SiC wafer by chitosan/diamond composite spherical microbeads

〇KYOHEI YOSHIDA¹, Masaki Koga², Takakuni Shimizu², Makoto Takafuji³, Shoji Nagaoka^1,4 (1.Kumamoto Industrial Research Institute, 2.Hamada Heavy Industries Ltd., 3.Faculty of Advanced Science and Technology, Kumamoto University, Kumamoto univ., 4.Kumamoto Innovative Development Organization, Kumamoto Univ.)

Keywords:SiC, Composite spherical microbeads, Polishing

炭化ケイ素（SiC）は次世代パワー半導体として有望視されているが、平滑なウェハ製造に煩雑な多段階研磨プロセスを要する。SiCウェハを効率的に研削・研磨できるキトサン/Dia複合粒子の構築を開発した。これら粒子を用いて研磨実験を行ったところ、研磨速度11.8 mm/h、表面粗さ3.4 nmとなり全面鏡面状態となった。機械研磨能と化学機械研磨能を兼ね備えた研磨材を開発することができた。