[21a-B204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-B204-7] ショットキー界面を制御したPt/Ti_0.99Fe_0.01O_2-δ /Ptデバイスの脳型特性

〇冨吉 希彩良¹、谷口 充樹¹、高田 文朝¹、谷古宇 海斗¹、樋口 透¹、志賀 大亮²、組頭 広志² (1.東理大理、2.東北大)

キーワード：薄膜、脳型メモリー素子、酸素欠陥

本研究は、まだ実用水準ではない脳のシナプスの記憶特性を模倣した脳型メモリー素子に着目した。Pt/Ti_0.99Fe_0.01O_2-δ /Ptのクロスポイント構造膜を作製し、酸素欠陥の移動によるショットキー障壁の変化を利用した構造・脳型特性の評価とその機構解明を行った。当日は、脳型特性の結果に加え、Ti_0.99Fe_0.01O_2-δ薄膜の構造評価やデバイスの電気特性の詳細についても報告する予定である。