[21a-B204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-B204-6] Pt/Ti_0.99Sc_0.01O_2-δ/Pt多層膜のキャリア密度と脳型的忘却特性の電流応答

〇(M2)谷口 充樹¹、高田 文朝¹、冨吉 希彩良¹、谷古宇 海斗¹、前川 愛里¹、志賀 大亮²、組頭 広志²、樋口 透¹ (1.東理大理、2.東北大)

キーワード：Pt/Sc-TiO2/Pt多層膜、忘却特性、脳型素子

パルス電圧印加によるイオンの移動を利用し、記憶の短期・長期特性を実現するデバイスが報告されている。また以前TiO₂の利用により低電圧動作を実現したが、逆電圧印加による記憶消去については明らかでなかった。そこで本研究ではPt/Ti_0.99Sc_0.01O_2-δ/Pt多層膜に対する逆電圧印加によって記憶消去の実現を目的とした。当日は種々の構造・電気特性の結果を踏まえ忘却特性のメカニズムについて報告する。