[21a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21a-C200-3] 高速OVPE-GaN結晶の厚膜化に向けた炉壁多結晶抑制

〇川波 一貴¹、宇佐美 茂佳¹、今西 正幸¹、丸山 美帆子¹、吉村 政志²、隅 智亮³、滝野 淳一³、岡山 芳央³、秦 雅彦⁴、伊勢村 雅士⁵、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.阪大レーザー研、3.パナソニック ホールディングス、4.伊藤忠プラスチック、5.創晶慶心)

キーワード：半導体、窒化ガリウム、OVPE法

低コストGaNウェハの作製には、大口径かつ厚膜化可能なバルク結晶成長技術の開発が重要である。Ga2O ガスを用いた気相成長 (Oxide Vapor Phase Epitaxy) 法を用いてバルク結晶の作製を行っており、HClフリーのため原理的に長時間育成に期待できる。低核生成頻度条件により200 μm/h程度の高速成長に成功している。しかし現状、長時間の育成時に多結晶が一部発生し、厚膜化が阻害される問題がある。本研究では、高融点金属であるタングステンにより多結晶抑制低減を試みた。