[21a-C202-1~12] 17.3 層状物質

[21a-C202-5] 有機金属気相成長法におけるGa_xS_y薄膜の結晶相制御

〇遠藤 由大¹、関根 佳明¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性研)

キーワード：III-VI属半導体、有機金属気相成長法、硫化ガリウム

Ga_xS_y薄膜の結晶相選択的な成長技術を確立するため、本研究では有機金属気相成長法を用いて成長温度およびS/Ga原料供給量比に依存した結晶相変化を系統的に調べた。成長温度の増加およびS/Ga原料供給量比の増加により、結晶相がGaSからGa₂S₃へと変化した。それぞれ、各相の熱的な安定性を反映した成長温度依存性と、S供給量の増加に伴ったS比率の高い固相組成比への変化が観察されたと考えられる。