[21a-C206-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-C206-3] ナノスケール領域のウェットエッチング現象におけるイオン拡散・水和挙動の影響

〇塙 洋祐¹、上田 大¹、春本 晶子¹、田邉 一郎²、福井 賢一³ (1.SCREENホールディングス、2.立教大学理学部化学科、3.大阪大学大学院基礎工)

キーワード：半導体、エッチング、遠紫外分光

半導体デバイスの製造工程において、デバイスの3次元構造内に存在する数nm幅の材料をエッチング除去する際のエッチングレート（ER）低下が課題となっている。本研究ではその要因把握のため、数nmの細孔を有するポーラスガラスをモデル構造とし、各種添加剤を加えることによる細孔内水和状態とイオン拡散性等の分光的解析を行った。それら結果と各添加剤HF水溶液における数nm幅のSiO₂膜のERとの相関の有無を検討したので報告する。