[21p-A105-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[21p-A105-8] InP(001)基板上砒素系Lバンド量子ドットのMBE成長とレーザ作製

〇權 晋寛¹、モレー ナタリア¹、詹 文博¹、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子、2.東大先端研)

キーワード：量子ドット、MBE、L-band

通信波長帯 Cバンド・Lバンドは光ファイバにおける低損失波長域であり, 長距離光通信で幅広く使われている. シリコンフォトニクスおよび量子コンピューター用非線形光学素子への展開も活発に行われている. 量子ドットレーザは高温動作や低雑音性などの優れた特性を有する次世代光源として期待されている. しかし, これまで報告されているCバンド・LバンドのInP 基板上量子ドットレーザは1.3mm帯GaAs 基板上量子ドットレーザに比べしきい値電流密度が数倍高い. また, 燐系成長材料の使用による問題もあった. 今回我々は, 分子線エピタキシー(MBE)によりInP(001) 基板上にIII-砒素系材料のみで量子ドットを成長し、Lバンド発光の良質な量子ドットの形成に成功した。さらに、量子ドットレーザを作製し1.6 μm 帯量子ドットレーザとしては最低しきい値電流密度を達成したので報告する.